1987, 9(3): 264-268.
刊出日期：1987-05-19
用Zn作扩散源在封闭的真空石英管中,研究了Zn在Ge中的扩散问题,给出了xj-t1/2关系和C-1/T关系,比较了扩散源温度对样品表面形貌的影响。采用双温区扩散工艺可获得表面光亮的样品。采用真空退火工艺可使扩散样品表面漏电流降低。
1990, 12(2): 179-186.
刊出日期：1990-03-19
用多晶X射线衍射方法,研究钪酸盐阴极发射材料在烧结过程中物理化学变化。由BaO-CaO-Al2O3-Sc2O3组成的发射材料中,在10001300℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系与CaO的混合物;在13001500℃内,是Ba-Al-O和Ba-Sc-O体系互溶生成热力学上的亚稳定态的Ba-Al-Sc-O固溶体。先形成组成约为5BaO-Al2O3-Sc2O3物相,属正交晶系,a=9.725(2),b=8.698(3),c=6.152(3);最后生成组成约为4BaO-Al2O3-0.5Sc2O3物相,属四方晶系,a=14.4996(19),b=4.4996(19),c=5.0265(8).CaO呈游离状态。
1996, 18(6): 638-643.
刊出日期：1996-11-19
关键词:
锗硅合金; 应变; 重掺杂; 能带结构
针对应变Si1-xGex的应变致价带分裂和重掺杂对裂值的影响,提出了该合金价带结构的等价有效简并度模型。模型中考虑了非抛物线价带结构。应用这个模型,计算了赝晶生长在100Si衬底上的p型Si_(1-x)Ge_x应变层的重掺杂禁带窄变,发现当杂质浓度超过约2～31019cm-3后,它在某一Ge组分下得到极大值,而当掺杂低于此浓度时,它则随Ge组分的增加单调下降。与实验报道的对比证实了本模型的有效性。
1989, 11(4): 410-415.
刊出日期：1989-07-19
关键词:
天线; 覆介质导体圆柱; 缝隙; 耦合
本文研究覆介质导体圆柱面上轴向窄缝间的耦合,讨论了耦合系数谱展开式中无穷积分的收敛性态,利用辅助函数Ge得出了耦合系数的计算公式,给出了部分数值计算结果。
2009, 31(5): 1233-1236.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2008.00108
刊出日期：2009-05-19
该文采用通用流封装GSE来完成地面数字多媒体广播(T-DMB)系统的IP业务的传输，提出了一种改进的GSE-FEC方案。其中设计了一种可提供帧重构信息以及错误位置信息的改进的GSE封装(IGSE)，进一步提出了基于IGSE的带擦除译码方案IGE，用于GSE-FEC方案的译码部分, 较好地提高了GSE-FEC的性能。仿真结果表明，IGE与基于非带擦除(NE)以及基于现有GSE封装的带擦除(GE)RS译码方案相比，均表现出更强的纠错能力，另外，与GE方案相比，IGE可以更好的保护正确字节，有效的减少信息浪费。
2003, 25(1): 131-134.
刊出日期：2003-01-19
用XRD技术对浸渍Ba-W阴极所用的铝酸盐(6BaO:CaO:2Al2O3)结构进行了分析。结果表明俄罗斯和国内某单位的铝酸盐峰位较复杂,结构不单一。该文作者用新的配方,新的烧结方式生成了主峰为Ba5CaAl4O12的结构单一的铝酸盐,且烧结温度比传统烧结温度低200℃,单一结构的铝酸盐具有浸渍温度低、发射较好、性能稳定、蒸发少等特点,从而可望改善Ba-W阴极的性能。
1990, 12(2): 169-178.
刊出日期：1990-03-19
关键词:
电子光学; 磁偏转器; 任意形状绕组
本文将文献[1]的分析方法推广到带铁心的偏转器,绕组形状可以是任意的,如子午绕组、非子午绕组、鞍形、环形或扇形等。对铁心与绕组之间有一定间隙的情况,提出了计算偏转场的一种新的表示式,并用高斯-切比雪夫积分式对积分方程离散求解。最后用COTY GE-14''彩显管偏转器的解剖数据验证。
1987, 9(4): 348-358.
刊出日期：1987-07-19
各种铝酸盐钡钨阴极的发射物质中存在着2BaOCaOAl2O3和可利用氧化钡的共同成分。氧化钙的作用在于参予组成了2BaOCaOAl2O3相成分,稳定了可利用氧化钡。在掺氧化钪的发射物质5BaO3CaO2Al2O30.6Sc2O3中,氧化钪的作用则在于它和铝酸盐中的可利用氧化钡结合为2BaOSc2O3,成为电子发射源氧化钡或钡原子的载体,它起控制和补充发射源的作用。这个机理得到实验证实。
2014, 36(3): 754-757.
doi: 10.3724/SP.J.1146.2013.00566
刊出日期：2014-03-19
为提高阴极的发射性能以满足新型器件的需求，该文利用脉冲激光沉积技术制备了一种覆W+BaO- Sc2O3-SrO薄膜的浸渍扩散阴极。实验测得了该阴极在不同温度下的伏安特性曲线，并探讨了发射机制。结果表明，在1100C工作温度下，该阴极的零场发射电流密度达到305.5 A/cm2；阴极表面形成的Ba-Sc-Sr-O活性层是阴极获得高发射性能的主要原因。文章还利用半导体模型解释了该阴极的非正常肖特基效应。
1989, 11(3): 333-336.
刊出日期：1989-05-19
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为EC-ED0.29eV和ET-EV0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。
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